Если после открывания транзистора зарядный и разрядный токи С4 сравняются прежде, чем Uбэ достигнет Uкр (в нашем случае 521 мВ), самовозбуждения каскада не произойдет, и сверхрегенератор работать не будет. Скорость уменьшения тока разряда конденсатора определяется постоянной времени ?р и величиной исходного напряжения на конденсаторе Uсо. Скорость же нарастания зарядного тока через открывающийся транзистор определяется крутизной транзистора в исходной рабочей точке Sи, что, в свою очередь, зависит от соотношения сопротивлений R1, R2, R3 и h21э транзистора.
Напряжение Uбэ, соответствующее Sи, при желании можно измерить, устранив условия самовозбуждения в каскаде временным отключением конденсатора обратной связи С6. Как видно, резистор R3 влияет и на ?р, и на Sи, что усложняет процедуру настройки. На практике целесообразно выбрать величину R3, исходя из требуемого значения частоты суперизации, а затем подстройкой R1 получить прерывистую генерацию.
Для полноты картины следует отметить, что с помощью R1 можно в небольших пределах управлять и частотой суперизации. Действительно, чем больше напряжение UR2, тем больше напряжение Uco, до которого зарядится конденсатор С4, а значит, и больше будет время его разряда, определяющее период суперизации.
Вернемся к процессам, происходящим в схеме. Часть напряжения, возникшего в контуре, в виде сигнала обратной связи Uoc суммируется с медленно меняющимся напряжением на участке база-эмиттер VT1. Результирующее напряжение теперь представляет собой алгебраическую сумму трех напряжений (рис.116) и описывается выражением
Коллекторный ток в результате изменяется по синусоидальному закону (интервал 2-3 на рис. 11 в). Поскольку транзистор при этом работает в классе А, постоянная составляющая коллекторного тока на этом участке практически не меняется (рис. 11 г). Суммарное напряжение Uбэ на этом интервале также содержит синусоидальную составляющую, нарастающую во времени.
В момент времени, соответствующий точке 3 на графиках, происходит существенное изменение режима. Суммарное напряжение Uбэ "цепляет" линию Uбэ=450 мВ (рис.116), соответствующую запирающему напряжению транзистора. Коллекторный ток теперь протекает только в те части периода высокочастотного напряжения, в течение которых напряжение Uбэ превышает уровень 450 мВ (интервал 3-5 на рис.11 в). Именно этот факт является одним из необходимых условий существования режима прерывистой генерации в каскаде и, как следствие, возможности усиления принимаемых колебаний. Посмотрим на процессы, происходящие на интервале 3-5, внимательнее.
С одной стороны, короткие импульсы коллекторного тока являются теми "толчками", которые раскачивают колебания в контуре. Другими словами, первая гармоника этих импульсов обеспечивает формирование в контуре нарастающего гармонического напряжения. Пропорционально растет и напряжение обратной связи, прикладываемое к базе транзистора. Это, в свою очередь, вызывает дальнейший рост амплитуды коллекторных импульсов и напряжения на контуре. Постоянная составляющая импульсов (рис. 11г) обеспечивает заряд конденсатора С4, напряжение с которого уменьшает результирующую разность UR2 - Uc (рис.11б). В итоге уменьшается угол отсечки импульсов коллекторного тока, что должно препятствовать росту напряжения на контуре. Результат зависит от того, что больше: скорость нарастания напряжения обратной связи, являющегося частью напряжения на контуре, или скорость нарастания напряжения на конденсаторе Uc.
На интервале 3-4 соотношение увеличения амплитуды импульсов коллекторного тока и уменьшения их угла отсечки таково, что первая гармоника и постоянная составляющая Iк0 этих импульсов растут. Последняя обеспечивает увеличение напряжения на конденсаторе Uc. Более того, увеличивается и скорость роста этого напряжения, что хорошо видно на графике (рис. 11 а). Это (через уменьшение угла отсечки) приводит к уменьшению скорости роста напряжения в контуре, но до точки 4 она еще превышает скорость роста Uс. Выполнение этого условия принципиально необходимо для нарастания амплитуды вспышки, и оно является вторым важным моментом, требующим учета при настройке приемника. Для его обеспечения в реальной схеме необходимо помнить, что Uос является частью напряжения в контуре Uк и скорость его нарастания можно регулировать двумя способами: коэффициентом затухания ? через параметры, в него входящие (формула 7), и изменением коэффициента обратной связи, определяющимся соотношением реактивных сопротивлений конденсатора обратной связи С6 и дросселя L2. Уменьшать скорость нарастания Uс можно, в частности, увеличением емкости С4.
Страницы: 1, 2, 3 |
